當(dāng)鋁陽(yáng)極氧化的鋁進(jìn)行電解著色時(shí)，起初氫離子在鋁陽(yáng)極氧化膜微孔的阻擋層上陰極放電。如上所述，只要發(fā)生了金屬沉積析出，以后氫離子的放電就在析出金屬上進(jìn)行了。研究表明，鋁陽(yáng)極氧化膜阻擋層是組成的半導(dǎo)體化合物。氫離子通過(guò)半導(dǎo)體氧化物，擴(kuò)散到氧化膜下面的基體金屬鋁而放電。

　　隨著氫離子的放電，原子復(fù)合形成分子態(tài)的氫氣，這時(shí)體積相應(yīng)增大10倍以上。由于氫氣沒有逸出的途徑，氣壓必然逐漸增加直到阻擋層破裂，氣體才得以逸出。鋁陽(yáng)極氧化膜一般以大致圓形的外觀剝落，基體金屬鋁也有圓錐形的損傷。

　　鋁陽(yáng)極氧化膜的剝離實(shí)際并非鋁鋁陽(yáng)極氧化的缺陷，只是在電解著色時(shí)才發(fā)生。

　　金屬離子和氫離子的遷移速度，氫離子的遷移速度大約是一般金屬離子遷移速度的10倍，這意味著氫離子到達(dá)微孔底部的速度比金屬離子快得多，顯然會(huì)發(fā)生所謂氧化膜的剝離。但是在電解著色中如果使用交流電壓，則可以大大降低氧化膜剝離的發(fā)生。此時(shí)，由于一定頻率外加交流電壓的作用，位于鋁陽(yáng)極氧化膜微孔中的離子在微孔底部與外電極之間來(lái)回振動(dòng)，因此降低了氫離子較高的離子遷移率，氫離子優(yōu)先放電的機(jī)會(huì)減少了，到達(dá)微孔底部的氫離子數(shù)目與金屬離子比較也大為減少。此外還應(yīng)該注意到，一旦微孔底部存在足夠的金屬沉積物，它本身就作為氫離子通過(guò)鋁陽(yáng)極氧化膜阻擋層的屏障，起到了防止鋁陽(yáng)極氧化膜剝離的作用。

　　因此在電解著色的起始階段，電流密度需要緩慢上升，以便有利于優(yōu)先析出金屬。在電解著色過(guò)程中，微孔底部發(fā)生氧化膜剝離的示意圖。上面的微孔中，表示氫離子通過(guò)阻擋層放電，創(chuàng)造了容易發(fā)生鋁陽(yáng)極氧化膜剝離作用的條件。在中間的微孔中，表示只有金屬離子的放電，阻擋層的損傷極小。在下面的微孔中，表示金屬已經(jīng)沉積在微孔底部，從而阻擋氫離子通過(guò)阻擋層，鋁陽(yáng)極氧化膜剝離的條件不再存在。實(shí)際上，交流電壓的采用，加上電壓緩慢上升(即 “軟啟動(dòng)”)，可以有效防止鋁陽(yáng)極氧化膜剝離的危險(xiǎn)。

　　在通常的直流電解著色中，電流密度超過(guò)某一個(gè)數(shù)值后，金屬離子在陰極表面析出的速度比該離子從溶液擴(kuò)散進(jìn)人微孔要快。其結(jié)果造成陰極附近電解液的濃度降低，形成一定的濃度梯度，妨礙了金屬析出的均勻性。